RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2022, том 52, номер 8, страницы 728–730 (Mi qe18135)

Влияние толщины пассивирующего реактивного титанового слоя зеркальных граней на электрические характеристики диодных лазеров

Н. С. Утковa, А. Е. Дракинb, Г. Т. Микаелянac

a ООО "Лассард", г.Обнинск, Московская обл.
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
c ООО "НПП Инжект", Россия, Саратов

Аннотация: Описан метод определения допустимой толщины слоя титана для пассивирования излучающих граней диодного лазера. Пассивация реактивным металлом легко встраиваема в процесс производства диодных лазеров. В качестве реактивного металла выбран титан, поскольку он служит адгезионным слоем омических контактов полупроводниковых структур. Показано, как при уменьшении слоя осаждённого титана от 4.3 до 0.7 нм кривая вольт-амперной характеристики диодного лазера стремится к той форме, которая была до осаждения покрытия.

Ключевые слова: диодный лазер, пассивация титаном.

Поступила в редакцию: 30.05.2022


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2022, 49:suppl. 1, S53–S57


© МИАН, 2024