Аннотация:
Описан метод определения допустимой толщины слоя титана для пассивирования излучающих граней диодного лазера. Пассивация реактивным металлом легко встраиваема в процесс производства диодных лазеров. В качестве реактивного металла выбран титан, поскольку он служит адгезионным слоем омических контактов полупроводниковых структур. Показано, как при уменьшении слоя осаждённого титана от 4.3 до 0.7 нм кривая вольт-амперной характеристики диодного лазера стремится к той форме, которая была до осаждения покрытия.