Аннотация:
Исследована возможность использования фотонных кристаллов с дефектом решетки для лазерного управления охлажденными атомами. Найдена конфигурация фотоннокристаллической решетки и дефекта, при которой в дефектной моде фотонного кристалла формируется распределение потенциала, позволяющее осуществлять каналирование охлажденных атомов вдоль дефекта решетки за счет действующей на атомы дипольной силы. На основе приведенных оценок показано, что фотонные кристаллы с дефектом кристаллической решетки позволяют реализовать управление атомами с существенно более высокими поперечными температурами и достичь гораздо более высокой степени локализации атомов в поперечном направлении, чем полые волноводы.