RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2022, том 52, номер 12, страницы 1152–1165 (Mi qe18165)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Специальный выпуск, посвященный 100-летию со дня рождения Н.Г.Басова

Мощные лазерные диоды на основе InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs-гетероструктур с низкими внутренними оптическими потерями

С. О. Слипченко, Д. А. Веселов, В. В. Золотарев, А. В. Лютецкий, А. А. Подоскин, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Подробно изложены основные результаты работ по созданию мощных полупроводниковых лазерных диодов на основе асимметричных полупроводниковых гетероструктур InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs с низкими внутренними оптическими потерями, концепция которой была предложена в ФТИ им. А.Ф.Иоффе. Рассмотрены основные технологические подходы с целью создания сильнонапряженных активных областей лазеров для спектрального диапазона до 1100 нм. Представлены результаты исследований непрерывных мощных многомодовых полупроводниковых лазеров, излучающих в диапазонах длин волн 780 – 850, 900 – 980 и 1000 – 1100 нм, мощных полупроводниковых лазеров, работающих в импульсном режиме генерации, и мощных лазеров со сверхширокой излучающей апертурой. Рассмотрены основные факторы, определяющие насыщение выходной оптической мощности мощных полупроводниковых лазеров.

Ключевые слова: мощные полупроводниковые лазеры, лазерные диоды, полупроводниковые гетероструктуры, квантово-размерная активная область, оптическая мощность.

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 22.11.2022


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2023, 50:suppl. 4, S494–S512


© МИАН, 2024