Особенности мощных однозарядных фотодиодов на основе гетероструктур InGaAs/InP

Проведено сравнение традиционных pin-фотоприемников и современных однозарядных фотоприемников на основе гетероструктур InGaAs/InP. Рассмотрены различия конструкций гетероструктур данных приемников и проанализированы вызванные этим особенности их функционирования. Показано, что при сравнимой фоточувствительности фототок насыщения однозарядных фотоприемников приблизительно в четыре раза больше, чем в традиционных pin-фотоприемниках. Приборы с диаметром фоточувствительной площадки 40 мкм достигали тока насыщения при входной оптической мощности 10 – 12 и 60 – 70 мВт для pin- и однозарядных фотоприемников соответственно (обратное напряжение смещения 5 В).