RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2023, том 53, номер 7, страницы 583–587 (Mi qe18308)

Стандарты частоты

Фотонный микроволновый генератор с пониженным фазовым шумом на малых отстройках от несущей частоты

А. С. Шелковников, А. Н. Киреев, Д. А. Тюриков, М. А. Губин

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, Россия, 119991 Москва

Аннотация: Разработан транспортируемый лабораторный образец фотонного микроволнового генератора (ФМГ) на основе оптического стандарта частоты (He–Ne/CH4-лазер, λ = 3.39 мкм) и делителя оптической частоты (фемтосекундный волоконный Er-лазер, λ = 1.55 мкм). Спектр излучения генератора представляет собой гребенку частот в диапазоне 1 – 10 ГГц. Продемонстрирована относительная девиация Аллана менее 1×10–14 на временах усреднения 1 – 1000 с для компонент спектра с частотами 1.0 и 9.2 ГГц. Выбор частот обусловлен перспективой применения созданного ФМГ в качестве задающего генератора в эталонах времени и частоты фонтанного типа на атомах Cs/Rb. На временах усреднения 1 – 200 с полученная нестабильность частоты ниже, чем у коммерческих водородных мазеров. Спектральная плотность мощности фазовых шумов на указанных частотах при отстройках от несущей частоты менее 100 Гц значительно ниже, чем у лучших электронных и оптоэлектронных генераторов. Созданный генератор представляется полезным для задач фундаментальной метрологии времени-частоты, разработки и фазовой калибровки прецизионной микроволновой аппаратуры, когерентной радиолокации, мониторинга, связи, а также в случаях, требующих относительно длительного (10–2 – 103 с) накопления слабого сигнала в области малых отстроек от несущей и/или удержания синхронизации разнесенных источников.

Ключевые слова: фотонный микроволновый генератор, стабильность частоты, фазовые шумы, He–Ne/CH4-лазер, оптический стандарт частоты, фемтосекундный волоконный делитель оптической частоты.

Поступила в редакцию: 06.07.2023
Исправленный вариант: 17.08.2023


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2023, 50:suppl. 11, S1276–S1282


© МИАН, 2024