RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2023, том 53, номер 11, страницы 859–866 (Mi qe18358)

Подборка докладов, представленных на VII Международной конференции по сверхбыстрой оптической науке (UltrafastLight-2023, 2-4 октября, 2023, Москва)

Перспективы использования импульсного лазера на Tm-активированном волокне для литотрипсии слюнных камней

Ю. К. Седоваa, С. Е. Минаевa, Е. О. Епифановa, Д. В. Жучковаb, С. П. Сысолятинb, В. П. Минаевc, В. И. Юсуповa, Н. В. Минаевa

a Институт фотонных технологий Курчатовский комплекс Кристаллографии и фотоники НИЦ «Курчатовский институт», Россия, 108840 Москва, Троицк
b Клиника «Эндостом», Россия, 125252 Москва
c НТО "ИРЭ — Полюс", Россия, Московская обл., 141190 Фрязино

Аннотация: Лазерная литотрипсия с применением оптического волокна для фрагментации камней слюнных желез (сиалолита) - в настоящее время один из наиболее успешных методов лечения слюннокаменной болезни. Актуальным является уменьшение времени дробления чрезвычайно прочных слюнных камней, которое на практике в случае крупных конкрементов составляет более трех часов. Представлены новые подходы в литотрипсии, связанные с использованием излучения наносекундного лазера на тулиевом активированном волокне с длиной волны 1.94 мкм. Исследование проведено на гипсовых фантомах и сиалолитах. Определены параметры лазерного воздействия, обеспечивающие высокие скорости литотрипсии без существенного нагрева окружающих тканей. Показано, что механизм действия хорошо поглощающегося в воде наносекундного лазерного излучения при дроблении камней связан с выгоранием связующего органического материала сиалолита и взрывным кипением воды. Полученные результаты могут быть положены в основу разработки новой перспективной медицинской технологии.

Ключевые слова: волоконный импульсный лазер, сиалолитиаз, литотрипсия, лазерное излучение в хирургии, проток, гидроксиапатит.

Поступила в редакцию: 02.11.2023
Исправленный вариант: 20.02.2024
Принята в печать: 20.02.2024


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2024, 51:suppl. 2, S146–S156


© МИАН, 2024