А. В. Фомин, Е. В. Ершов, C. А. Крюков, “Разработка и исследование мощных лазерных диодов спектрального диапазона 960 – 980 нм на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 53:12 (2023), 902

Подборка докладов, представленных на IX Международном симпозиуме по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур (КОИПСС-2023) (29 ноября-1 декабря 2023 г., Москва)

Разработка и исследование мощных лазерных диодов спектрального диапазона 960 – 980 нм на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs

А. В. Фомин, Е. В. Ершов, C. А. Крюков

ФГУП «Российский федеральный ядерный центр – ВНИИТФ им. Е.И.Забабахина», Россия, Челябинская обл., 456770 Снежинск

Аннотация: В рамках разработки мощных многомодовых лазерных диодов спектрального диапазона 960 – 980 нм проведена оптимизация гетероструктуры и мезаполосковой конструкции чипа лазерного диода с целью повышения выходной мощности излучения и КПД. Исследовано влияние увеличения энергетической глубины квантовой ямы, легирования волноводных слоев и уменьшения толщины p-эмиттера на выходные характеристики лазерных диодов. В конструкцию чипа внедрены технические решения, позволившие минимизировать тепловую нагрузку на зеркала резонатора. Проведенная оптимизация позволила повысить рабочую выходную мощность излучения лазерных диодов до 11.6 Вт при токе 12 А, максимальный КПД при этом составил 63%.

Ключевые слова: лазерный диод, резонатор, гетероструктура, квантовая яма, выходная мощность излучения.