Определение длины диффузии неравновесных носителей в гетероструктурах CdS/ZnSe/ZnSSe, предназначенных для полупроводниковых дисковых лазеров

Исследована катодолюминесценция гетероструктуры с квантовыми ямами CdS/ZnSe/ZnSSe при разных энергиях электронов в диапазоне 3 – 7 кэВ. Получена зависимость отношения интенсивности излучения квантовой ямы к интенсивности излучения барьерных слоев ZnSSe, согласованных с подложкой GaAs. Выполнено моделирование этого соотношения при различных длинах диффузии неравновесных носителей заряда в барьерных слоях и коэффициентах захвата этих носителей в квантовую яму. Показано, что учет поверхностной рекомбинации дает лучшие результаты моделирования. Из сравнения результатов моделирования и экспериментальных данных получена оценка длины диффузии неравновесных носителей в барьерных слоях – 25 нм. Обсуждается влияние длины диффузии на характеристики полупроводникового дискового лазера на основе гетероструктур с аналогичными квантовыми ямами.