Температурная зависимость выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs

Проведены измерения выходной оптической мощности, спектров лазерной генерации, длительности оптического импульса и задержек включения полупроводниковых лазеров-тиристоров с шириной полоска 200 мкм и длиной 980 мкм в диапазоне рабочих температур от 20 до 70°С при номинале разрядного конденсатора 22 нФ и амплитуде тока управления 10.4 мА. Показано, что лазеры-тиристоры обладают высокой температурной стабильностью. При нагреве приборов с 20 до 70°С уровень снижения выходной пиковой мощности не превысил 15% для напряжений питания 4 – 20 В и 25% для напряжения 3 В, сдвиг центральной длины волны спектра генерации в среднем составил 0.21 нм/°С.