В. Е. Федяй, А. Тарасова, А. Елисеев, Л. Исаенко, П. Криницын, С. А. Бабин, А. Кучмижак, А. В. Достовалов, “Создание антиотражающих микроструктур на поверхности нелинейных кристаллов BaGa2Se7 фемтосекундным лазерным излучением”, Квантовая электроника, 54:7 (2024), 430

Подборка докладов, представленных на Международном семинаре по волоконным лазерам (19-25 августа 2024 г., Новосибирск) (редакторы-cоставители С.Л.Семёнов и С.А.Бабин)

Создание антиотражающих микроструктур на поверхности нелинейных кристаллов BaGa₂Se₇ фемтосекундным лазерным излучением

В. Е. Федяй^ab, А. Тарасова^ac, А. Елисеев^ac, Л. Исаенко^ac, П. Криницын^ac, С. А. Бабин^ab, А. Кучмижак^de, А. В. Достовалов^ab

^a Новосибирский государственный университет, Россия, 630090 Новосибирск
^b Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Россия, 630090 Новосибирск
^c Институт геологии и минералогии им. В. С. Соболева СО РАН, Россия, 630090 Новосибирск
^d Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Россия, 690041 Владивосток
^e Дальневосточный федеральный университет, Россия, 690041 Владивосток

Аннотация: Рассмотрена возможность создания антиотражающих микроструктур (АОМ) на поверхности полупроводниковых нелинейных кристаллов BaGa₂Se₇ с помощью ИК лазерных импульсов. Исследовано формирование АОМ методом поточечной записи фемтосекундным лазерным излучением, а также методом, основанным на эффекте формирования лазерно-индуцированных периодических поверхностных структур (ЛИППС) фемтосекундным/пикосекундным лазерным излучением. Максимальное увеличение пропускания нелинейного кристалла BaGa₂Se₇ (при обработке с одной стороны по сравнению с исходной необработанной поверхностью) составило 17% и более 9% для метода поточечной записи и метода на основе ЛИППС соответственно.

Ключевые слова: кристалл BaGa₂Se₇, антиотражающие микроструктуры, фемтосекундная лазерная абляция, ИК диапазон, лазерно-индуцированные периодические поверхностные структуры.

Поступила в редакцию: 23.10.2024