Влияние квантово-размерных эффектов наночастиц тантала в тонкопленочных структурах на основе диодов Шоттки на увеличение фотоотклика в ИК диапазоне

Рассмотрено улучшение чувствительности фотодетекторов Шоттки на основе перехода Ag/n-Si за счет добавления нанокластерного тонкопленочного покрытия Ta. Представлена методика создания таких фотодетекторов, включая изготовление покрытий и оценку их влияния на фотовольтаические характеристики устройств. Исследование показало, что введение слоя нанокластерного покрытия Ta привело к увеличению чувствительности фотодетекторов Шоттки на 29% по сравнению с устройствами без такого покрытия. Данное улучшение обусловлено оптимизацией характеристик барьера Шоттки, что подтверждено анализом отклика исследуемых устройств на тепловое излучение.