RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2025, том 55, номер 2, страницы 128–132 (Mi qe18540)

Применение лазеров и другие вопросы квантовой электроники

In situ исследование динамики взаимодействия мощных потоков ВУФ излучения с поверхностью диэлектрического зеркала

А. С. Скрябинa, В. Д. Телехa, А. В. Павловa, Д. Б. Пушкинb, П. А. Новиковb

a Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана, Россия, 105005 Москва
b Научно-производственное объединение "Луч", Россия, Московская обл., 142103 Подольск

Аннотация: С использованием метода in situ лазерного зондирования поверхности выполнено исследование взаимодействия широко- полосного мощного излучения от импульсного сильноточного разряда в фоновых газовых средах (Ar, воздух) с поверхностью модельного образца диэлектрического зеркала (ZrO2/SiO2). Источники на основе импульсных сильноточных (I > 100 кА) плазмодинамических разрядов позволяют генерировать радиационные потоки высокояркостного излучения, в том числе и вакуумного ультрафиолетового (ВУФ) диапазона спектра. Изменение состава фонового газа позволяет организовать радиационную перестройку спектра, управляя коротковолновой границей излучения. Характерные значения интегральной (во всем спектре) плотности потока лучистой энергии на расстоянии 78.6 см от оси источника в реализованных условиях составляют от ∼ 14 – 25 кВт/см2 (разряды в воздухе) до ∼ 37 – 112 кВт/см2 (разряды в аргоне). Полученные результаты свидетельствуют о протекании вблизи облучаемого зеркала определенных газодинамических процессов (испарение, образование плазменного слоя и др.), чья интенсивность достигала максимума за время 12 – 15 мкс и что подтверждалось экранированием сканирующего пучка лазера. Показано, что характерное время излучения плазменного потока над поверхностью составляло ∼ 30 – 40 мкс.

Ключевые слова: вакуумный ультрафиолет, плазмодинамические разряды, деградационные процессы, диэлектрическое зеркало.

Поступила в редакцию: 14.11.2024
Исправленный вариант: 10.04.2025
Принята в печать: 25.04.2025



© МИАН, 2025