Увеличение порога катастрофической оптической деградации до 500 мВт в СЛД диапазона 800 – 900 нм с расширенными волноводным слоями

Исследовано влияние толщины волноводных слоёв на основные характеристики мощных суперлюминесцентных диодов (СЛД) спектрального диапазона 800 – 900 нм на основе гетероструктур раздельного ограничения в системе материалов AlGaAs/GaAs/InGaAs, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что порог катастрофической оптической деградации (КОД) улучшается с увеличением толщины волноводных слоёв, а расходимость в дальнем поле и дифференциальная квантовая эффективность остаются на приемлемом уровне. Продемонстрировано, что максимальная мощность оптического излучения СЛД может достигать 500 мВт в непрерывном режиме при сохранении поперечно-одномодового режима.