Сравнительное исследование нелинейных кристаллов BaGa4S7, BaGa2GeS6 и Ba2Ga8GeS16 для параметрических генераторов света с накачкой излучением с длиной волны 1 – 2 мкм

Исследованы оптические свойства нелинейных кристаллов BaGa₄S₇, BaGa₂GeS₆ и Ba₂Ga₈GeS₁₆, такие как диапазон прозрачности, возможный диапазон перестройки длины волны при накачке на длинах волн 1.064, 1.5, 1.85 и 2.09 мкм и лучевая стойкость к излучению с длиной волны ∼2 мкм при частоте следования импульсов 1 кГц с использованием методики R-on-1. Показано, что кристаллы демонстрируют высокую лучевую стойкость порядка 5.8 – 6.4 Дж/см². Сочетание высокого порога лучевой стойкости и широкого диапазона прозрачности (до 12 мкм) позволяет предположить, что серосодержащие кристаллы халькогенида бария перспективны для разработки широкоперестраиваемых источников излучения с высокой энергией в импульсе для различных применений, таких как медицинская лазерная хирургия и абляция.