RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2025, том 55, номер 8, страницы 518–528 (Mi qe18619)

Применение лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Стратегия сканирования для контроля размера зерна при прямом лазерном выращивании слоя для аддитивного производства

М. Д. Хоменкоa, Н. В. Макоанаb, Д. А. Ронжинa, С. Питянаb

a Институт проблем лазерных и информационных технологий, НИЦ "Курчатовский институт", Россия, 140700 Московская обл., Шатура
b National Laser Centre CSIR, Pretoria, South Africa

Аннотация: Представлено комплексное исследование стратегий сканирования слоев, полученных методом прямого лазерного выращивания (ПЛВ) с коаксиальной подачей порошка. Первые два этапа аддитивного производства детали оптимизированы с использованием гидродинамической модели для нахождения режимов с низкой волнистостью и контролируемым управлением микроструктуры. Сравнение численной модели с экспериментом при нанесении единичной дорожки показывает довольно хорошее согласование. Основные параметры стратегии сканирования (траектория сканирования, коэффициент перекрытия дорожек и время паузы) оптимизированы для применения в аддитивном производстве. Показано, что оптимальный коэффициент перекрытия зависит от параметров обработки и для его оценки необходимо исследование нескольких дорожек. Предложен новый метод оптимизации параметров выращивания слоя, заключающийся в подстройке геометрии одиночной дорожки при изменении условий нанесения, вместо поиска нового шага штриховки. Как численно, так и экспериментально показана возможность изменения среднего размера зерен и сохранения геометрии слоя, с одной стороны, и стратегии сканирования, с другой. Управление размером зерна подобных слоев является еще одним шагом для создания деталей с заданными функциональными свойствами.

Ключевые слова: лазерное нанесение металла, прямое численное моделирование, стратегия сканирования, верификация, капиллярные силы, конвекция, волнистость, микроструктура.

Поступила в редакцию: 26.09.2025
Исправленный вариант: 29.10.2025
Принята в печать: 31.10.2025


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2025, 52:suppl. 10, S1079–S1093


© МИАН, 2026