Особенности отражения света от границы раздела полубесконечного нелинейного кристалла в условиях двухфотонного возбуждения биэкситонов

Изучены особенности отражения излучения от торца полубесконечного полупроводника в условиях двухимпульсного двухфотонного возбуждения биэкситонов из основного состояния кристалла. Показано, что функция отражения имеет сложное мультистабильное поведение в зависимости от амплитуд полей падающих импульсов. Предсказано возникновение уединенных замкнутых участков либо рогообразных структур.