RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2001, том 31, номер 7, страницы 617–622 (Mi qe2014)

Эта публикация цитируется в 19 статьях

Лазеры. Активные среды

Численное моделирование активной среды и исследование источника накачки для разработки фотохимического XeF(CA)-усилителя фемтосекундных оптических импульсов

Г. Я. Малиновскийa, С. Б. Мамаевa, Л. Д. Михеевa, Т. Ю. Москалевa, М. Л. Сентисb, В. И. Черемискинa, В. И. Яловойa

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Laboratoire Lasers, Plasmas et Procédés Photoniques, Aix-Marseille II Université, France

Аннотация: Путем численного моделирования активной среды XeF(CA)-усилителя найдены условия ее пространственно-однородного возбуждения. Показано, что в переходном режиме формирования волны просветления эффективность возбуждения возрастает с увеличением крутизны нарастания импульса накачки. Разработан и исследован источник оптической накачки XeF(CA)-усилителя, основанный на принципиально новом подходе к формированию поверхностного разряда большой площади (порядка 100 см2 и более) без использования в цепи питания коммутирующих устройств, включенных последовательно с разрядом. Получены рекордно короткие (0.6–0.7 мкс) для данного типа источников импульсы излучения. Применение такого источника в многопроходном усилителе длиной 50 см позволяет рассчитывать на достижение полного коэффициента усиления ~103.

PACS: 42.55.Ks, 42.60.Lh, 42.65.Re

Поступила в редакцию: 29.01.2001
Исправленный вариант: 23.05.2001


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2001, 31:7, 617–622

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024