Численное моделирование активной среды и исследование источника накачки для разработки фотохимического XeF(C–A)-усилителя фемтосекундных оптических импульсов
Аннотация:
Путем численного моделирования активной среды XeF(C–A)-усилителя найдены условия ее пространственно-однородного возбуждения. Показано, что в переходном режиме формирования волны просветления эффективность возбуждения возрастает с увеличением крутизны нарастания импульса накачки. Разработан и исследован источник оптической накачки XeF(C–A)-усилителя, основанный на принципиально новом подходе к формированию поверхностного разряда большой площади (порядка 100 см2 и более) без использования в цепи питания коммутирующих устройств, включенных последовательно с разрядом. Получены рекордно короткие (0.6–0.7 мкс) для данного типа источников импульсы излучения. Применение такого источника в многопроходном усилителе длиной 50 см позволяет рассчитывать на достижение полного коэффициента усиления ~103.
PACS:42.55.Ks, 42.60.Lh, 42.65.Re
Поступила в редакцию: 29.01.2001 Исправленный вариант: 23.05.2001