Модуляция оптического излучения при отражении от пленочной структуры в условиях возбуждения пограничного поляритона на границе металл–полупроводник

Численно рассчитан коэффициент отражения плоской электромагнитной волны от многослойной несимметричной планарной структуры металл–полупроводник, образующей на границе раздела контакт Шоттки. Вычислена крутизна модуляции коэффициента отражения при управлении толщиной слоя обеднения в приконтактной области с помощью внешнего напряжения. Найдено, что она существенно меньше, чем полученная другими авторам. Дано объяснение указанного расхождения и предложены методы увеличения коэффициента модуляции.