А. В. Коровай, П. И. Хаджи, “Оптические свойства полупроводника при двухфотонном возбуждении биэкситонов мощным импульсом накачки и однофотонном зондировании в области М-полосы”, Квантовая электроника, 31:10 (2001), 937

Эта публикация цитируется в 24 статьях

Нелинейно-оптические явления и приборы

Оптические свойства полупроводника при двухфотонном возбуждении биэкситонов мощным импульсом накачки и однофотонном зондировании в области М-полосы

А. В. Коровай, П. И. Хаджи

Приднестровский государственный университет им. Т. Г. Шевченко, физико-математический факультет, г. Тирасполь

Аннотация: Показано, что в условиях двухфотонного возбуждения биэкситонов из основного состояния кристалла фотонами мощного импульса имеет место усиление слабого пучка лазерного излучения в области М-полосы.

PACS: 42.25.Bs, 42.65.An, 78.20.Ci

Поступила в редакцию: 04.06.2001
Исправленный вариант: 22.08.2001