RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 3, страницы 210–212 (Mi qe2162)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Специальный выпуск, посвященный 40-летию НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха

Высокоэффективный мини-лазер с импульсной поперечной полупроводниковой накачкой для безопасной лазерной дальнометрии

А. Ю. Абазадзе, В. Н. Быков, Г. М. Зверев, А. А. Плешков, В. А. Симаков

ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва

Аннотация: Исследованы генерационные характеристики мини-лазера на хром-иттербий-эрбиевом стекле с поперечной импульсной накачкой излучением линейки лазерных диодов. В режиме модуляции добротности при электрической энергии импульса накачки 0.5 Дж получена генерация моноимпульса с энергией 3 мДж, длительностью 35 нс и расходимостью 4 мрад.

PACS: 42.55.Rz, 42.55.Xi, 42.79.Qx

Поступила в редакцию: 11.02.2002


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2002, 32:3, 210–212

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024