RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 8, страницы 659–662 (Mi qe2266)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Активные среды. Лазеры

Агрегатные центры окраски в примесных кристаллах LiF

Т. Т. Басиевa, А. Я. Карасикa, В. А. Конюшкинa, А. Г. Папашвилиa, К. К. Пуховa, И. В. Ермаковb, В. Геллерманнb

a Научный центр лазерных материалов и технологий, Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
b Department of Physics, University of Utah, USA

Аннотация: Исследованы кристаллы LiF с центрами окраски (ЦО), имеющими бесфононную линию (БФЛ) поглощения и люминесценции с длиной волны λ = 1080 нм. При температуре T = 10 К ЦО имеют время затухания люминесценции 260–280 нс, полуширину БФЛ 4.7 см-1 и характеризуются слабым электрон-фононным взаимодействием (параметр Хуанга–Риса S < 0.11). Поляризационный анализ люминесценции показал, что дипольные моменты перехода ЦО ориентированы в направлении осей кристалла [100], [010] и [001]. Модель агрегатных F4-ЦО, имеющих пространственную структуру с тремя осями симметрии C2, может хорошо соответствовать исследованным ЦО.

PACS: 42.70.Hj, 61.72.Ji

Поступила в редакцию: 22.04.2002


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2002, 32:8, 659–662

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024