Аннотация:
Представлен новый тип широкоапертурного мощного и высокоэффективного полупроводникового лазера с вовлечённым в лазерную генерацию излучением, вытекающим из активной области. Описан принцип его работы. Впервые созданы одномодовые полупроводниковые лазеры с выходными апертурами на оптической грани 5 × 6 мкм, 7 × 7.5 мкм и 10 × 10 мкм и дифракционными углами расходимости излучения от 6.9° до 12° в вертикальной плоскости и от 3.3° до 7.8° в горизонтальной. На длине волны 980 нм получена мощность излучения 0.5 Вт в непрерывном одномодовом и одночастотном режиме с дифракционными углами расходимости в горизонтальной и вертикальной плоскостях 5.7° и 12.3°. В многомодовом режиме при ширинах гребня 10 и 50 мкм получены мощности излучения 1.3 и 3.0 Вт соответственно с малыми углами расходимости.