RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 8, страницы 717–721 (Mi qe2278)

Нелинейно-оптические явления

Особенности вынужденного рассеяния излучения XeCl-лазера в гептане

В. Я. Артюховa, Н. Г. Ивановb, В. Ф. Лосевb, С. В. Николаевa, Ю. Н. Панченкоb

a Сибирский физико-технический институт, г. Томск
b Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск

Аннотация: Исследована эффективность вынужденного рассеяния (ВР) в гептане. Проанализированы причины сокращения длительности отраженного импульса и уменьшения коэффициента отражения с увеличением ширины спектральной линии излучения накачки. Для объяснения снижения эффективности ВР предложен механизм фотодиссоциации молекул нелинейной среды.

PACS: 42.65.Es, 42.55.Lt, 33.80.Gj

Поступила в редакцию: 19.04.2002


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2002, 32:8, 717–721

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024