RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 9, страницы 753–755 (Mi qe2287)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Письма

Дефектно-деформационная нанометровая самоорганизация при лазерной перекристаллизации тонких аморфных пленок на субстратах

В. И. Емельяновa, К. И. Ереминa, А. А. Сумбатовb

a Международный учебно-научный лазерный центр МГУ им. М. В. Ломоносова
b Научно-исследовательский институт Л. Я. Карпова, г. Москва

Аннотация: Экспериментально обнаружен скрытый гексагональный порядок в расположении нанометровых кристаллических зерен, образующихся при лазерной перекристаллизации тонких пленок аморфного кремния на субстрате. Гексагональное упорядочение зерен, а также экстремальная зависимость размера зерна от плотности энергии лазерного импульса описываются в рамках кооперативного дефектно-деформационного механизма лазерной перекристаллизации.

PACS: 43.35.N, 61.43.-j, 61.72.Cc, 81.16.Rf, 81.65.Cf

Поступила в редакцию: 24.05.2002


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2002, 32:9, 753–755

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024