А. П. Богатов, А. Е. Дракин, С. А. Плисюк, А. А. Стратонников, М. Ш. Кобякова, А. В. Зубанов, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, “Низкочастотные флуктуации интенсивности в мощных одномодовых гребнёвых полупроводниковых лазерах на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs”, Квантовая электроника, 32:9 (2002), 809

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Лазеры

Низкочастотные флуктуации интенсивности в мощных одномодовых гребнёвых полупроводниковых лазерах на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs

А. П. Богатов^a, А. Е. Дракин^a, С. А. Плисюк^b, А. А. Стратонников^b, М. Ш. Кобякова^c, А. В. Зубанов^c, А. А. Мармалюк^c, А. А. Падалица^c

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
^b Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный, Московская обл.
^c ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва

Аннотация: Показано, что при средней выходной мощности 60 мВт спектральная плотность низкочастотных флуктуаций в одномодовых полупроводниковых лазерах находится в диапазоне 6 × 10^-17–10^-15 Вт²/Гц. Этот уровень флуктуаций обусловлен наличием подпороговых продольных мод и переключением генерирации между ними, что является причиной появления в их спектре значительной 1/f-компоненты.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Mi

Поступила в редакцию: 17.07.2002