RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 12, страницы 1099–1104 (Mi qe2352)

Эта публикация цитируется в 21 статьях

Специальный выпуск, посвященный 80-летию академика Н. Г. Басова

Мощные поперечно-одномодовые полупроводниковые лазеры с гребнёвой конструкцией оптического волновода

В. В. Поповичевa, Е. И. Давыдоваa, А. А. Мармалюкa, А. В. Симаковa, М. Б. Успенскийa, А. А. Чельныйa, А. П. Богатовb, А. Е. Дракинb, С. А. Плисюкc, А. А. Стратонниковc

a ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
c Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный, Московская обл.

Аннотация: Оптимизация волноводных свойств гребнёвой структуры полупроводникового гетеролазера позволила получить поперечно-одномодовую генерацию с выходной мощностью в непрерывном режиме свыше 200 мВт. Качество оптического пучка близко к дифракционному пределу, а его яркость превышает 5 × 107 Вт·см-2·ср-1. Показано, что расчетные и экспериментальные параметры оптического пучка лазера совпадают с высокой точностью, что допускает их уверенное моделирование.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Da, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 04.10.2002


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2002, 32:12, 1099–1104

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024