RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2003, том 33, номер 7, страницы 621–627 (Mi qe2468)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Специальный выпуск, посвященный памяти академика А.М.Прохорова

Увеличение плотности критического тока ВТСП-керамики с помощью лазерного излучения

Г. Н. Михайлова, А. В. Троицкий

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Cистематизированы экспериментальные данные по применению лазерного излучения для плавления высокотемпературных сверхпроводящих керамик YBCO(123) и Bi(2223) с целью улучшения их структуры и увеличения плотности критического тока. Кратковременное плавление этой керамики СО2-лазером и последующий ее отжиг приводят к образованию плотной мелкозернистой структуры. В результате происходит существенное повышение плотности критического тока. Наилучшие результаты получены для керамики Bi(2223): плотность критического тока возросла в 40 раз при T=20 K и в 8 раз при T=77 К.

PACS: 74.72.Bk, 74.72.Hs, 74.25.Sv, 42.55.Lt

Поступила в редакцию: 23.01.2003


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2003, 33:7, 621–627

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024