В. В. Бадиков, А. К. Дон, К. В. Митин, А. М. Серегин, В. В. Синайский, Н. И. Щебетова, “Оптический параметрический генератор на кристалле HgGa2S4”, Квантовая электроника, 33:9 (2003), 831

Эта публикация цитируется в 30 статьях

Нелинейно-оптические явления и приборы

Оптический параметрический генератор на кристалле HgGa₂S₄

В. В. Бадиков^a, А. К. Дон^b, К. В. Митин^b, А. М. Серегин^b, В. В. Синайский^b, Н. И. Щебетова^b

^a Кубанский государственный университет, Лаборатория новейших технологий, г. Краснодар
^b Научно-производственное объединение "Астрофизика", г. Москва

Аннотация: Впервые получена и исследована параметрическая генерация на кристалле HgGa₂S₄ с накачкой излучением наносекундного Nd:YAG-лазера. Проведенные эксперименты показали перспективность использования кристаллов HgGa₂S₄ для создания эффективных оптических параметрических генераторов в среднем ИК диапазоне.

PACS: 42.65.Yj, 42.70.Mp

Поступила в редакцию: 25.03.2003