RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2003, том 33, номер 11, страницы 975–980 (Mi qe2533)

Эта публикация цитируется в 15 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Лазерное напыление пленок ZnO на кремниевые и сапфировые подложки

А. Н. Жерихинa, А. И. Худобенкоa, Р. Т. Вилльямсb, Д. Вилкинсонb, К. Б. Усерb, Г. Хионгb, В. В. Вороновc

a Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, г. Троицк, Московская обл.
b Department of Physics, Wake Forest University, USA
c Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Исследовано лазерное напыление пленок оксида цинка. Для предотвращения попадания на пленку микрочастиц, возникающих при лазерной абляции мишени, использовался промежуточный экран. Изучено влияние условий напыления на морфологию пленки, ее электрические свойства и кристаллическую структуру. Показано, что методом лазерного напыления можно получать пленки с проводимостью обоих типов. Удельное сопротивление пленок составило 0.07 Ом·см для пленок с проводимостью n-типа и 0.08 Ом·см для пленок с проводимостью р-типа. Исследования фотолюминесценции пленок показали, что при интенсивности накачки свыше 6 МВт/см2 в пленках генерируется вынужденное излучение.

PACS: 42.62.-b, 81.15.Fg

Поступила в редакцию: 07.01.2003
Исправленный вариант: 27.02.2003


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2003, 33:11, 975–980

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024