Объединенная лаборатория оптоэлектроники ВНИИОФИ/МИРЭА, г. Москва
Аннотация:
Проведены прецизионные измерения и сравнительный анализ спектров излучения инжекционных лазеров на основе GaAs/AlGaAs- и InGaAs/GaAs-гетероструктур с квантово-размерными активными слоями и монолитным плоским резонатором. Основное внимание уделено корреляции фактора спектрального уширения и параметров одночастотного режима генерирования. Зарегистрировано одночастотное генерирование квантово-размерного лазера с напряженными активными слоями (λ = 975 нм) и непрерывной выходной мощностью более 100 мВт при уровне подавления боковых продольных мод более 30 дБ.