RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1994, том 21, номер 12, страницы 1137–1140 (Mi qe258)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры

Спектральные характеристики одночастотных квантово-размерных гетеролазеров

В. П. Коняев, В. Д. Курносов, В. Н. Лукьянов, А. Г. Плявенек, М. В. Шраменко, С. Д. Якубович

Объединенная лаборатория оптоэлектроники ВНИИОФИ/МИРЭА, г. Москва

Аннотация: Проведены прецизионные измерения и сравнительный анализ спектров излучения инжекционных лазеров на основе GaAs/AlGaAs- и InGaAs/GaAs-гетероструктур с квантово-размерными активными слоями и монолитным плоским резонатором. Основное внимание уделено корреляции фактора спектрального уширения и параметров одночастотного режима генерирования. Зарегистрировано одночастотное генерирование квантово-размерного лазера с напряженными активными слоями (λ = 975 нм) и непрерывной выходной мощностью более 100 мВт при уровне подавления боковых продольных мод более 30 дБ.

PACS: 42.55.Px, 73.20.Dx, 78.45.+h

Поступила в редакцию: 17.03.1994


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1994, 24:12, 1054–1057

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024