RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2004, том 34, номер 3, страницы 206–208 (Mi qe2612)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры

Двухпроходные суперлюминесцентные диоды с пониженным энергопотреблением на основе многослойной квантоворазмерной (GaAl)As-гетероструктуры

Д. С. Мамедовa, А. А. Мармалюкb, Д. Б. Никитинb, С. Д. Якубовичa, В. В. Прохоровa

a ООО "Суперлюминесцентные диоды", г. Москва
b ООО "Сигм Плюс", г. Москва

Аннотация: Исследованы суперлюминесцентные диоды (СЛД) спектрального диапазона 820–840 нм с искривлëнным активным каналом на основе трëхслойной квантоворазмерной (GaAl)As-гетероструктуры, предназначенные для работы без принудительной термостабилизации в диапазоне температур -55°С – +93°С с оптической мощностью на выходе одномодового волоконного световода порядка 0.1 мВт. По сравнению с СЛД традиционной конструкции на основе ''объëмной'' двойной гетероструктуры с раздельным ограничением носителей получен значительный выигрыш по рабочим токам и потребляемой мощности.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Da, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 29.10.2003


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2004, 34:3, 206–208

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024