RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2004, том 34, номер 4, страницы 375–380 (Mi qe2683)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество

Нарушениe адгезии при абляции тонких пленок импульсным лазерным излучением

А. В. Феденев, Е. И. Липатов, В. Ф. Тарасенко, В. М. Орловский, М. А. Шулепов, Н. Н. Коваль, И. М. Гончаренко

Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск

Аннотация: Исследована зависимость воздействия импульсного лазерного излучения ИК и УФ диапазонов на тонкие металлические и композиционные пленки на стеклянной подложке от плотности энергии. При неоднородном распределении плотности энергии по сечению лазерного пучка и длительности импульса излучения ~300 нс на поверхности пленки можно выделить характерные области, размеры которых коррелируют с распределением энергии в пучке и соответствуют режимам испарения, плавления и разрушения под действием термических напряжений. При длительности импульса ~20 нс и однородном распределении плотности энергии по сечению лазерного пучка обнаружено нарушение адгезии металлических и композиционных пленок к стеклу вследствие возникающих термических напряжений без плавления подложки. Определены пороговые плотности энергии лазерного излучения, необходимые для нарушения адгезии пленок титана, нитрида титана, циркония, ниобия и нержавеющей стали на стеклянных подложках. Численные оценки температуры поверхности и термических напряжений, вызванных нагревом, показали, что на преодоление адгезии пленки к подложке расходуется незначительная часть энергии, большая часть энергии термических напряжений идет на возникновение трещин и в кинетическую энергию вылетевших осколков пленки. Предлагается использовать импульсное лазерное излучение для грубой оценки адгезии металлических и композиционных пленок на стеклянной подложке.

PACS: 79.20.Ds, 68.35.Np, 68.60.-p

Поступила в редакцию: 03.07.2003
Исправленный вариант: 19.12.2003


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2004, 34:4, 375–380

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024