RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2004, том 34, номер 10, страницы 909–911 (Mi qe2752)

Эта публикация цитируется в 12 статьях

Лазеры

Низкопороговые полупроводниковые лазеры зеленого диапазона с накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерных гетероструктур

М. М. Зверевa, Д. В. Перегудовb, И. В. Седоваc, С. В. Сорокинc, С. В. Ивановc, П. С. Копьевc

a ФГПУ ГНЦ РФ – Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований
b Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы параметры Cd(Zn)Se/ZnMgSSe-лазеров с различной конструкцией активной области, излучающих в зеленом (λ = 494–555 нм) спектральном диапазоне при накачке электронным пучком с энергией 8–30 кэВ. Минимальная пороговая плотность тока (0.6–0.8 A/см2 при комнатной температуре) получена для структуры, активная область которой состояла из ZnSe-квантовой ямы с дробно-монослойной CdSe-вставкой.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 28.06.2004


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2004, 34:10, 909–911

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024