RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2005, том 35, номер 1, страницы 33–37 (Mi qe2754)

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Имплантация высокоэнергетичных ионов под действием фемтосекундного лазерного излучения

Р. В. Волковa, Д. М. Голишниковa, В. М. Гордиенкоa, А. Б. Савельевa, В. С. Чернышb

a Международный учебно-научный лазерный центр МГУ им. М. В. Ломоносова
b Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова

Аннотация: Осуществлена имплантация ионов германия из разлетающейся плазмы в кремниевый коллектор. Плазма зажигалась на поверхности твердотельной мишени фемтосекундным лазерным импульсом с интенсивностью ~1015 Вт/см2. Предложена методика определения энергетических характеристик ионной компоненты лазерной плазмы по профилю концентрации имплантированных в подложку атомов.

PACS: 52.77.Dq, 52.50.Jm, 42.65.Re

Поступила в редакцию: 06.07.2004


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2005, 35:1, 33–37

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024