Эффект самоотражения в полупроводниках в двухимпульсном режиме

Изучены особенности отражения от торца полубесконечного полупроводника в двухимпульсном режиме. Функции отражения имеют сложное многозначное поведение в зависимости от амплитуд полей падающих импульсов. Предсказана возможность полного просветления среды для поля в области М-полосы.