RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2004, том 34, номер 10, страницы 924–926 (Mi qe2879)

Нелинейно-оптические явления

Вынужденное комбинационное рассеяние в кристаллах в условиях фазомодулированной пикосекундной накачки

Т. Т. Басиев, П. Г. Зверев, А. Я. Карасик, Д. С. Чунаев

Научный центр лазерных материалов и технологий, Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Исследован процесс возникновения гистерезиса в зависимости эффективности нестационарного ВКР от энергии пикосекундного лазерного возбуждения. К возникновению гистерезиса приводит частотно-фазовая модуляция лазерного излучения, влияющая на изменение коэффициента ВКР-усиления при изменении степени модуляции.

PACS: 42.65.Dr, 42.70.Mp

Поступила в редакцию: 25.02.2004
Исправленный вариант: 10.06.2004


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2004, 34:10, 924–926

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024