М. А. Черников, А. Е. Сотников, О. А. Рябушкин, П. А. Трубенко, И. Берищев, А. Овчинников, “Фотоотражение полупроводниковой лазерной структуры при локальной оптической накачке”, Квантовая электроника, 34:9 (2004), 875

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Фотоотражение полупроводниковой лазерной структуры при локальной оптической накачке

М. А. Черников^a, А. Е. Сотников^a, О. А. Рябушкин^b, П. А. Трубенко^c, И. Берищев^c, А. Овчинников^c

^a НТО "ИРЭ — Полюс", г. Фрязино, Московской обл.
^b Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
^c IPG Photonics Corporation, USA

Аннотация: Лазерная AlGaAs/GaAs-гетероструктура с InGaAs-квантовой ямой исследуется бесконтактным методом фотоотражения при локальной оптической накачке. В отличие от традиционного метода фотоотражения области на поверхности образца, освещаемые зондирующим светом и светом накачки, пространственно разнесены. Метод позволяет эффективно разделять сигналы фотолюминесценции и фотоотражения и даëт возможность построить трëхмерное распределение энергетической зонной диаграммы лазерной структуры.

PACS: 42.55.Px, 42.62.Fi, 78.40.-q

Поступила в редакцию: 25.02.2004
Исправленный вариант: 01.07.2004