Д. В. Батрак, С. А. Богатова, А. В. Бородаенко, А. Е. Дракин, А. П. Богатов, “Моделирование материального усиления квантоворазмерных слоев InGaAs, используемых в гетеролазерах, работающих в спектральной области 1.06 мкм”, Квантовая электроника, 35:4 (2005), 316

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Лазеры

Моделирование материального усиления квантоворазмерных слоев InGaAs, используемых в гетеролазерах, работающих в спектральной области 1.06 мкм

Д. В. Батрак^a, С. А. Богатова^b, А. В. Бородаенко^b, А. Е. Дракин^a, А. П. Богатов^a

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
^b Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный, Московская обл.

Аннотация: В рамках трехзонной модели для квантоворазмерного активного слоя InGaAs выполнен расчет спектрального контура оптического усиления и спектральной зависимости коэффициента, характеризующего изменение показателя преломления с изменением концентрации носителей. Путем сравнения расчета с экспериментом найдены значения используемых в расчете параметров, позволяющие выполнять численное моделирование материальных параметров активного слоя с хорошей точностью.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 22.10.2004