А. Ю. Бончик, С. Г. Кияк, Г. Н. Михайлова, А. В. Похмурская, Г. В. Савицкий, “Создание p–n-переходов и омических контактов в GaAs методом лазерной твердофазной диффузии”, Квантовая электроника, 22:1 (1995), 95

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Создание p–n-переходов и омических контактов в GaAs методом лазерной твердофазной диффузии

А. Ю. Бончик^a, С. Г. Кияк^a, Г. Н. Михайлова^b, А. В. Похмурская^a, Г. В. Савицкий^a

^a Институт прикладной математики и механики НАН Украины, г. Донецк
^b Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Приводятся результаты экспериментальных исследований электрофизических свойств p—n-переходов и омических контактов, сформированных методом лазерной твердофазной диффузии соответственно цинка и контактной группы элементов Au—Au:Ge в пластину n-GaAs. Облучение осуществлялось непрерывным СО₂-лазером. Сопротивление p–n-переходов при нулевом смещении составляет ~10¹⁰ Ом, а токи утечки при обратном смещении 8 В не превышают 1 нА. Характеристическое сопротивление невыпрямляющих контактов равно 5·10^–7 Ом·см².

PACS: 42.62.Cf, 81.40.Gh, 85.30.Kk