RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1993, том 20, номер 1, страницы 45–46 (Mi qe2932)

Лазеры

Изменение порогового тока InGaAsP-гетеролазеров (λ = 1,55 мкм) при старении и облучении

Р. И. Андреева, А. А. Кочетков, В. Н. Николаев


Аннотация: Исследована деградация при облучении γ-квантами и старении непрерывных InGaAsP-гетеролазеров (λ = 1,55 мкм). Определен параметр, являющийся информативным показателем эквивалентности кинетики этих процессов.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 73.40.Kp

Поступила в редакцию: 16.07.1992


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1993, 23:1, 38–39

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024