Взрывное накопление точечных дефектов как механизм многоимпульсного разрушения поглощающих сред

Развит механизм многоимпульсного разрушения полупроводников короткими лазерными импульсами, основанный на идее о взрывном накоплении точечных дефектов. Получены аналитические выражения для критических температуры и интенсивности и для зависимости критического числа импульсов от интенсивности. Теоретические результаты находятся в хорошем согласии с экспериментом.