Пороговый перепад дифференциального сопротивления в полосковых квантово-размерных лазерах на основе InGaAs/GaAlAs

Изучены дифференциальные вольт-амперные характеристики низкопороговых лазеров на основе квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAlAs с напряженным активным слоем, а также нелазерных диодов на основе идентичных гетероструктур. В согласии с простой моделью контактного эффекта порог генерации сопровождается отрицательным перепадом дифференциального сопротивления диода (на несколько ом). Показано также, что срыв генерации ведет к скачкообразному приросту падения напряжения на диоде (на десятки милливольт). Эти перепады коррелируют со скачком выходной мощности.