О температурной зависимости порогового тока в ДГС-лазерах на PbSe/PbSnSe

Проанализированы температурные зависимости усиления в узкозонных полупроводниках, а также порогового тока в ДГС-лазерах на PbSe/PbSnSe с учетом нескольких каналов прохождения токов: туннельного, рекомбинационного на гетерогранице и токов утечек через гетеробарьер. Проведено сравнение рассчитанных данных с экспериментальными результатами. Определены условия генерации ДГС-лазеров на PbSe/PbSnSe при комнатной температуре.