RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1993, том 20, номер 4, страницы 374–376 (Mi qe3000)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Активные среды

Электронный парамагнитный резонанс и магнитная восприимчивость кристаллов ИАГ:Nd3+

С. В. Антоновabc, Х. С. Багдасаровabc, И. Вархульскаabc, А. П. Додокинabc, В. Неквасилabc, М. В. Ремизовabc, А. А. Сорокинabc, Е. А. Федоровabc

a Международная лаборатория сильных магнитных полей и низких температур, Вроцлав, Польша
b Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, Москва
c Институт физики твердого тела, Прага, Чехословакия

Аннотация: Исследован ЭПР в 8-миллиметровом диапазоне и установлена верхняя граница для концентрации ионов Nd3+ в октаэдрических позициях структуры кристаллов ИАГ:Nd3+, выращенных методом горизонтально направленной кристаллизации. Она не превышает 5 – 7% от общей концентрации неодима в додекаэдрических позициях решетки. Впервые экспериментально изучена температурная зависимость магнитной восприимчивости кристаллов ИАГ:Nd3+, выращенных методом горизонтально направленной кристаллизации, в интервале температур 5 – 300 К. Обнаружено хорошее согласие эксперимента и теории, предполагающей, что все ионы неодима входят только в с-позиции решетки. Определена концентрация ионов неодима в исследованных кристаллах и оценена величина диамагнитного вклада в магнитную восприимчивость.

УДК: 538.953:538.916

PACS: 42.70.Hj, 76.30.Kg, 75.30.Cr, 61.66.Fn

Поступила в редакцию: 18.08.1992


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1993, 23:4, 320–322

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024