RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1993, том 20, номер 6, страницы 535–558 (Mi qe3100)

Эта публикация цитируется в 18 статьях

Обзор

Мощные ИК лазеры на переходах атома Хе I

О. В. Середаa, В. Ф. Тарасенкоb, А. В. Феденевb, С. И. Яковленкоa

a Институт общей физики АН РФ, г. Москва
b Институт сильноточной электроники СО АН РФ, г. Томск

Аннотация: Дан анализ генерационных характеристик и механизмов достижения инверсии в лазере на атомарных переходах ксенона при наиболее перспективных режимах и способах накачки. Экспериментальные результаты анализируются на основе кинетической модели. Для наиболее интересных случаев приведены теоретические расчеты по этой модели.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.60.Jf, 32.80.Bx, 32.80.Rm

Поступила в редакцию: 29.10.1992


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1993, 23:6, 459–480

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024