Ю. П. Яковлев, А. Н. Баранов, А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, Е. В. Степанов, Я. Я. Понуровский, “Инжекционные лазеры на основе InAsSb/lnAsSbP для спектроскопии высокого разрешения”, Квантовая электроника, 20:9 (1993), 839

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Лазеры

Инжекционные лазеры на основе InAsSb/lnAsSbP для спектроскопии высокого разрешения

Ю. П. Яковлев^a, А. Н. Баранов^a, А. Н. Именков^a, В. В. Шерстнев^a, Е. В. Степанов^b, Я. Я. Понуровский^b

^a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
^b Институт общей физики АН РФ, г. Москва

Аннотация: Представлены экспериментальные результаты, демонстрирующие возможность создания перестраиваемых по частоте полупроводниковых инжекционных лазеров на основе InAsSb/lnAsSbP для спектрального диапазона λ = 3.2–3.4 мкм. Лазеры данного типа были использованы нами при рабочих температурах 77–160 K для целей молекулярной спектроскопии высокого разрешения. Полученные спектры поглощения молекул метана и этилена позволили определить наиболее важные спектроскопические свойства лазеров данного типа, такие как диапазон плавной перестройки частоты, скорость перестройки, спектральное разрешение, отношение сигнал-шум.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.60.Jf, 42.60.Fc, 42.62.Fi