Аннотация:
Теоретически проанализировано использование периодической квантоворазмерной гетероструктуры в
качестве ограничивающего слоя полупроводниковых лазеров на основе AlxGa1–xAs/GaAs и GaxIn1–xAsyP1–y/InP. Сделаны расчеты зависимости коэффициента отражения электронных волн от энергии электронов и
зависимости плотности тока утечки электронов, инжектированных в активную область, от их концентрации
в подобных структурах. Определены параметры сверхрешеток такого типа, при которых
высота эффективного потенциального барьера возрастает более чем на 100 %, а плотность тока
утечки инжектированных в активную область электронов понижается более чем на три порядка.
Сделан вывод о возможности использования подобных гетероструктур в качестве ограничивающего
слоя полупроводниковых лазеров, работающих при высоких температурах или на коротких длинах волн.