RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1993, том 20, номер 9, страницы 863–873 (Mi qe3162)

Активные среды

Возбужденные состояния, фотофизические свойства и структура переходов сложной молекулы 1,4-фенилен-2,2'-бисоксазол

А. Е. Обухов

Российский университет дружбы народов, г. Москва

Аннотация: Рассмотрены фотофизические свойства новой активной сложной молекулы 1,4-фенилен-2,2'-бисоксазол (ОРО), способной флуоресцировать и генерировать излучение в области длин волн λ ≈ 340–420 нм с высоким квантовым выходом флуоресценции γ ≈ 0.45–0.93 и низкими пороговыми плотностями накачки Elp в растворителях различной природы. Методом матриц плотности показано, что растворитель влияет на характер локализации электронной плотности по атомам и фрагментам сложной молекулы ОРО в основном состоянии, что приводит к закономерному изменению ее геометрии. Следствием изменения распределения длин связей в циклах молекулы ОРО при протонировании атомов азота является изменение структуры возбужденных электронных синглетных (Si*) и триплетных (Ti) состояний и переходов S0Sn*, S1*S0, S1*Sn*, T1Tn, T1S0, определяющих фотофизические характеристики сложных соединений. Измерены и вычислены спектрально-флуоресцентные и генерационные характеристики сложной гетероатомной молекулы ОРО в растворителях различной природы и в газовой фазе. Установлено, что снижение или увеличение Elp в парáх или при изменении свойств растворителя связано с динамичным разнесением либо перекрытием полос генерации излучения и наведенного поглощения на переходах S1Sn* и T1Tn. Отсутствие генерации излучения в концентрированных кислотах связано с практически полным перекрытием полос предельного усиления и наведенного (T1Tn)-поглощения. Показана возможность практического применения метода априорно-структурного моделирования для квантово-механического управления свойствами возбужденных состояний и переходов.

УДК: 535.37+621.373

PACS: 78.20.-e, 78.55.Bq

Поступила в редакцию: 31.12.1992


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1993, 23:9, 748–757

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024