RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1993, том 20, номер 9, страницы 925–932 (Mi qe3174)

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Влияние фотоабсорбционной конвекции на скорость роста осадка при лазерно-химическом осаждении из газовой фазы аморфного гидрогенизированного кремния под действием непрерывного СO2-лазера

А. А. Дерюгинa, Г. В. Мишаковb

a Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований
b Научно-исследовательский центр технологических лазеров АН РФ, Москва

Аннотация: Исследована зависимость скорости роста осадка от геометрических параметров – диаметра пучка и расстояния между осью пучка и подложкой – при лазерно-химическом осаждении кремния из смеси моносилана с аргоном под действием непрерывного СO2-лазера. Для выяснения причин наблюдаемых зависимостей проводились прямые термопарные измерения температуры газа в окрестности лазерного пучка. Результаты этих измерений сравнивались с результатами численного моделирования. Расчетные температуры газа в зависимости от расстояния ось пучка – подложка хорошо совпадают с данными эксперимента, в то время как расчетное поведение температуры газа в зависимости от диаметра пучка противоречит измеренному. На основе анализа полученных результатов и литературных данных сделан вывод о том, что причиной уменьшения скорости роста осадка с уменьшением диаметра пучка (при неизменной его мощности) является интенсификация фотоабсорбционной конвекции. Сделано заключение о небходимости учета конвективного охлаждения газа при построении адекватной теоретической модели рассматриваемого процесса.

УДК: 621.373.826

PACS: 81.15.Fg, 81.15.Gh, 64.75.+g

Поступила в редакцию: 29.01.1993


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1993, 23:9, 805–812

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024