RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1971, номер 5, страницы 97–99 (Mi qe3256)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Краткие сообщения

Зависимость порога генерации инжекционных лазеров от длительности импульсов тока накачки

В. А. Горбылев, Г. Т. Пак, А. И. Петров, Н. П. Черноусов, В. И. Швейкин, И. В. Яшумов


Аннотация: Экспериментально исследована зависимость порога генерации инжекционных лазеров с диффузионными и гетеропереходами в системе GaAs–AlAs от длительности импульсов тока накачки в интервале 2–100 нсек. Определены величины эффективного времени жизни инжектируемых электронов для трех типов лазеров: с диффузионным рn-переходом ( ~ 1 нсек), с одним гетеропереходом (~2,5 нсек) и с двумя гетеропереходами (3–6 нсек).

УДК: 621.378.35

PACS: 42.55.Px, 42.55.Ah, 42.65.Re, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 22.02.1971
Исправленный вариант: 06.05.1971


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1972, 1:5, 505–507


© МИАН, 2024